技术

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下一代功率半导体技术

HEB正在开发以下先进功率半导体器件：

SiC 1200V MOSFET

超结 MOSFET

第8 / 第9代 IGBT

PPAC 优化

HEB通过持续技术创新，致力于实现PPAC的全面优化。

• 性能
• 面积
• 功耗
• 成本

HEB致力于为工业及汽车应用提供高效率、高可靠性的功率半导体解决方案，实现更高的功率密度和更低的功率损耗。