기술

기술

차세대 전력 반도체 기술

SiC 1200V MOSFET

HEB는 다음과 같은 첨단 전력 반도체 소자를 개발하고 있습니다.

Super Junction MOSFET

8·9세대 IGBT

PPAC 영역

PPAC 최적화

• 성능
• 면적
• 전력 효율
• 비용

HEB는 산업 및 자동차 분야를 위한 높은 전력 밀도와 낮은 전력 손실을 구현하여, 고효율·고신뢰성 전력 반도체 솔루션을 제공하는 것을 목표로 합니다.