Fabless 业务

Fabless 业务概述

当前全球电力半导体领域IGBT方兴未艾，而SiC势在必行，HEB采用最新技术，开发新一代IGBT、MOSFET及SiC产品

技术上采用最新一代功率半导体工艺技术，依托团队几十年的Turn Key交付经验，致力于在PPAC（性能、功率、面积、成本）上为客户提供可靠高效优质的下一代功率半导体产品，同时实现超乎预期的功率密度和超低功率损耗

•依据市场及客户需求，提供Turnkey方案：设计 + 工艺 + 设备 + 制造 + 销售(整包)

凭借逾30年的半导体行业积累，我们拥有深厚的工艺开发与设备集成经验，助力客户实现高效生产。

我们的专业团队能够敏锐捕捉市场变化，并针对客户的特殊化定制需求提供快速且具针对性的解决方案。

通过设计与制造设备的紧密协同，我们优化从器件设计到量产的全流程，显著提升产品竞争力。