Fabless 사업

Fabless 사업 개요

글로벌 전력 반도체 시장에서 IGBT 기술은 지속적으로 발전하고 있으며, SiC 소자에 대한 수요도 빠르게 증가하고 있습니다. HEB는 첨단 공정 기술을 기반으로 차세대 IGBT, MOSFET 및 SiC 제품을 개발하고 있습니다.

HEB는 최신 세대의 전력 반도체 공정 기술과 수십 년간 축적해 온 턴키 프로젝트 경험을 기반으로, PPAC(Performance, Power, Area, Cost)를 최적화한 고신뢰성·고효율·고품질의 차세대 전력 반도체 제품을 개발하고 있습니다.

또한 높은 전력 밀도와 초저손실 특성을 구현하여 고객의 기대를 뛰어넘는 제품 성능을 제공합니다.

설계부터 판매까지 End-to-End 턴키 솔루션을 제공합니다.

30년 이상의 반도체 산업 경험을 바탕으로 깊이 있는 공정 개발 및 장비 통합 역량을 보유하고 있으며, 고객의 효율적인 양산을 지원합니다.

풍부한 경험을 갖춘 전문 인력이 시장 변화에 신속하게 대응하고, 고객의 요구사항에 최적화된 맞춤형 솔루션을 제공합니다.

장비 설계 및 제조 부문과의 긴밀한 협업을 통해 설계부터 양산까지 전 과정을 최적화하고 제품 경쟁력을 강화합니다.